Transistors ROHM Semiconductor

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transistor HEMTGNP1070TC-Z

de puissance de commutation par résistance

transistor HEMT

GNP1070TC-Z

Courant: 20 A
Tension: 650 V

... GNP1070TC-Z est un HEMT GaN de 650V qui a atteint la classe FOM (Ron*Ciss、Ron*Coss) la plus élevée de l'industrie. C'est un produit de la série EcoGaN™ qui contribue à l'efficacité de la conversion de puissance et à la réduction de la ...

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module transistors MOSFETHP8KB6

de commutation monté en surface par résistance

module transistors MOSFET

HP8KB6

Courant: 24 A
Tension: 40 V

... HP8KB6 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface (HSOP8) ♦Pb-free lead plating ; RoHS ...

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module transistors MOSFETHP8KB7

de commutation monté en surface par résistance

module transistors MOSFET

HP8KB7

Courant: 24 A
Tension: 40 V

... HP8KB7 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface (HSOP8) ♦Pb-free lead plating ; RoHS ...

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module transistors MOSFETHP8KC6

de commutation monté en surface par résistance

module transistors MOSFET

HP8KC6

Courant: 23 A
Tension: 60 V

... HP8KC6 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface (HSOP8) ♦Pb-free lead plating ; RoHS ...

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module transistors MOSFETHP8KC7

de commutation monté en surface par résistance

module transistors MOSFET

HP8KC7

Courant: 24 A
Tension: 60 V

... HP8KC7 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. Caractéristiques : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface (HSOP8) ♦Pb-free lead plating ; RoHS ...

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module transistors MOSFETHP8KE6

de commutation monté en surface

module transistors MOSFET

HP8KE6

Courant: 17 A
Tension: 100 V

... HP8KE6 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface (HSOP8) ♦Pb-free lead plating ; RoHS ...

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module transistors MOSFETHP8KE7

de commutation monté en surface

module transistors MOSFET

HP8KE7

Courant: 24 A
Tension: 100 V

... HP8KE7 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface (HSOP8) ♦Pb-free lead plating ; RoHS ...

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module transistors MOSFETHP8MB5

de commutation monté en surface

module transistors MOSFET

HP8MB5

Courant: 16,5 A
Tension: 40 V

... HP8MB5 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface (HSOP8) ♦Pb-free lead plating ; RoHS ...

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module transistors MOSFETHP8MC5

de commutation monté en surface

module transistors MOSFET

HP8MC5

Courant: 12 A
Tension: 60 V

... HP8MC5 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Petit boîtier pour montage en surface (HSOP8) ♦Pb-free lead plating ; RoHS ...

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module transistors MOSFETHT8KB5

de puissance de commutation

module transistors MOSFET

HT8KB5

Courant: 12 A
Tension: 40 V

... Le HT8KB5 est un MOSFET à faible résistance à l'enclenchement, idéal pour les applications de commutation. CARACTÉRISTIQUES : ♦Faible résistance à l'enclenchement ♦Paquet de petite taille à haute puissance (HSMT8) ♦placage sans plomb ...

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