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Transistor IGBT de puissance
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Caractéristiques
- Type
- IGBT
- Technologie
- de puissance
Description
Dispositifs :
Mise en parallèle facile due au coefficient positif de la température de la tension de sur-état
L'extrême-lumière raboteuse passent à travers des résultats de la conception (XPT?) dans :
- court-circuit évalué pour 10µs.
- charge très basse de porte
- bas IEM
- régions carrées d'opération de coffre-fort de polarisation d'inversion (RBSOA) jusqu'aux tensions claque
Technologie mince de gaufrette combinée avec les résultats de conception de SPT dans un bas VCE concurrentiel (reposé)
Diode de SONIC-FRD?
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