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Transistor IGBT de puissance
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Caractéristiques
- Type
- IGBT
- Technologie
- de puissance
Description
Dispositifs :
Mise en parallèle facile due au coefficient positif de la température de la tension de sur-état
L'extrême-lumière raboteuse passent à travers des résultats de la conception (XPT?) dans :
- court-circuit évalué pour 10µs.
- charge très basse de porte
- bas IEM
- régions carrées d'opération de coffre-fort de polarisation d'inversion (RBSOA) jusqu'aux tensions claque
Technologie mince de gaufrette combinée avec les résultats de conception de SPT dans un bas VCE concurrentiel (reposé)
Diode de SONIC-FRD?
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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.