Traversée de cloison de vide KF40

multipassagemono-passageà fermeture hermétique

Présentation
La traversée électrique sous vide BNC KF40 est conçue pour introduire des signaux coaxiaux BNC à travers une bride ISO-KF40 vers l'intérieur d'une chambre à vide tout en conservant la compatibilité avec le haut vide et l'intégrité des signaux. Elle convient à la recherche, aux procédés semi-conducteurs, à l'électronique sous vide et aux instruments analytiques nécessitant une transmission de signaux RF et basse fréquence stable.

Structure principale et options de configuration

• Nombre de conducteurs / contacts
  • Monovoie (1–2 contacts) — pour un signal coaxial unique ou des lignes de signal standard
  • Multivoies (par ex. 4 × BNC) — plusieurs interfaces BNC indépendantes sur une seule bride KF40 pour systèmes multi-signaux intégrés
• Méthode d'adaptation d'impédance
  • Type 50 Ω avec adaptation — pour signaux RF et haute fréquence afin de réduire les réflexions
  • Type non adapté en impédance — pour signaux DC ou basse fréquence, commandes ou alimentation
• Blindage et mise à la terre
  • Type blindé mis à la terre — la couche de blindage coaxiale est connectée électriquement à la bride pour supprimer les EMI
  • Type blindé à masse flottante — blindage isolé de la bride pour applications sensibles aux différences de potentiel de terre
• Forme de position d'interface
  • Sortie monoplaque (BNC côté atmosphère) — côté air avec BNC standard; côté vide câblé par broches ou bornes soudées
  • Double sortie (BNC des deux côtés) — BNC sur les deux faces pour connexions modulaires

Paramètres techniques
– Tension nominale : ≤ 500 V DC
– Courant nominal : ≈ 3 A par contact
– Taux de fuite : ≤ 1 × 10⁻⁹ mbar·L/s
– Température maximale de cuisson : 150 °C (selon conception)
– Standard de bride : ISO-KF40

Matériaux et procédés
– Bride / corps : acier inoxydable 304 / 304L
– Isolant : céramique d'alumine haute pureté
– Méthode d'étanchéité : brasage métal-céramique sous vide

Applications

• Systèmes à vide haut et ultra-haut
• Modules d'introduction RF et de signaux
• Équipements de traitement des semi-conducteurs
• Instruments analytiques (spectromètres de masse, microscopes électroniques)
• Dispositifs expérimentaux et de recherche en vide

Caractéristiques techniques

• Tension nominale : ≤ 500 V DC
• Courant nominal : ≈ 3 A par contact
• Taux de fuite : ≤ 1 × 10⁻⁹ mbar·L/s
• Température maximale de cuisson : 150 °C (selon conception)
• Standard de bride : ISO-KF40
• Matériau bride/corps : acier inoxydable 304 / 304L
• Matériau isolant : céramique d'alumine haute pureté
• Méthode d'étanchéité : brasage métal-céramique sous vide