Transistor MOSFET ISP12DP06NM

de puissancede commutationà avalanche

Les MOSFETs OptiMOS™ à canal P 60V en boîtier SOT-223 sont idéalement adaptés aux commutateurs de charge, à la gestion des batteries ainsi qu'aux applications de protection contre l'inversion de polarité. Le principal avantage des MOSFETs OptiMOS™ à canal P est la simplification de la complexité de conception dans les applications de moyenne et faible puissance. Son interface facile avec l'unité de microcontrôle (MCU), sa commutation rapide ainsi que sa robustesse aux avalanches font des MOSFETs à canal P OptiMOS™ d'Infineon des produits adaptés aux applications exigeantes de haute qualité. Les produits améliorent l'efficacité à faible charge grâce à leur faible Qg.Ils sont disponibles en niveau normal et logique et présentent une large plage de RDS(on). Résumé des caractéristiques : Large plage de RDS(on) Disponibilité au niveau logique Avantages : Interface facile avec le MCU Amélioration de l'efficacité à faible charge grâce à un faible Qg Commutation rapide Robustesse de l'avalanche Applications cibles : Batterie Consommateurs Automatisation industrielle Entraînements industriels