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Transistor MOSFET BSC112N06LD
de puissance

Transistor MOSFET - BSC112N06LD - Infineon Technologies AG - de puissance
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Caractéristiques

Type
MOSFET
Technologie
de puissance
Courant

57 A

Tension

60 V

Description

Avantages : Boîtier double Super SO8 pour une densité de puissance élevée (empreinte la plus petite) Résistance thermique supérieure Température de fonctionnement élevée jusqu'à 175°C Immunité élevée contre les projections grâce à un Qgd/Qgs<0,8 Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS Applications potentielles SMPS Chargement sans fil par induction Commutateurs de charge Systèmes de gestion de la batterie Variateurs BT

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Ceci est une traduction automatique  (voir l’original en anglais)

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