Transistor MOSFET IPA60R160P7

de puissancede commutation

Le MOSFET à superjonction 600V CoolMOS™ P7 est le successeur de la série 600V CoolMOS™ P6. Elle continue de concilier la nécessité d'une efficacité élevée et la facilité d'utilisation dans le processus de conception. Le meilleur RonxA de sa catégorie et la charge de portail (QG) intrinsèquement faible de la plate-forme de 7ème génération CoolMOS™ assurent sa haute efficacité. Résumé des caractéristiques : Efficacité 600V P7 permet un excellent FOM RDS(on)xEoss et RDS(on)xQG Facilité d'utilisation Diode ESD intégrée à partir de 180mN et au-dessus RDS(on)s Résistance de grille intégrée RG Diode à corps robuste Large gamme de boîtiers à trous traversants et de boîtiers pour montage en surface Les pièces de qualité standard et de qualité industrielle sont disponibles Avantages : Efficacité Excellents FOMs RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss permettent une meilleure efficacité Facilité d'utilisation Facilité d'utilisation dans les environnements de fabrication en empêchant les défaillances ESD de se produire RG intégré réduit la sensibilité aux oscillations du MOSFET MOSFET est adapté aux topologies de commutation dures et résonnantes telles que PFC et LLC Excellente robustesse lors de la commutation dure de la diode du corps vue en topologie LLC Convient à une grande variété d'applications finales et de puissances de sortie Pièces disponibles adaptées aux applications grand public et industrielles