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Transistors de puissance AMOT

1 société | 38 produits
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transistor MOSFET

transistor MOSFETIPD900P06NM

de puissance de commutation à avalanche
transistor MOSFET
IPD900P06NM

Courant: -16,4 A
Tension: -60 V

... Aperçu

  • IPD900P06NM est un MOSFET de puissance canal P conçu pour des applications de commutation et de gestion d'alimentation.
  • Technologie : OptiMOS™
  • Polarité : P (canal P)
  • Boîtier typique : DPAK
...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET

transistor MOSFETBSZ063N04LS6

de puissance de commutation par résistance
transistor MOSFET
BSZ063N04LS6

Courant: 40 A
Tension: 40 V

... Brève description
Le BSZ063N04LS6 est un MOSFET de puissance N‑canal OptiMOS 6, 40 V, destiné aux alimentations à découpage (SMPS), aux chargeurs de batteries et aux applications d'ORing. Il présente un RDS(on) réduit d'environ ...

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Infineon Technologies AG
transistor MOSFET

transistor MOSFETIPB60R045P7

de puissance de commutation
transistor MOSFET
IPB60R045P7

Courant: 61 A
Tension: 600 V

... commutation dure et résonante telles que PFC et LLC Excellente robustesse lors de la commutation dure de la diode de corps observée dans la topologie LLC Convient à une grande variété d'applications finales et de puissances ...

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transistor MOSFET

transistor MOSFETIPP60R160P7

de puissance de commutation
transistor MOSFET
IPP60R160P7

Courant: 20 A
Tension: 600 V

... commutation dure et résonante telles que PFC et LLC Excellente robustesse lors de la commutation dure de la diode de corps observée dans la topologie LLC Convient à une grande variété d'applications finales et de puissances ...

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transistor MOSFET

transistor MOSFETIPAN60R180P7S

de puissance de commutation
transistor MOSFET
IPAN60R180P7S

Courant: 18 A
Tension: 600 V

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transistor MOSFETIPAN60R360P7S

de puissance de commutation
transistor MOSFET
IPAN60R360P7S

Courant: 9 A
Tension: 600 V

... commutation dure et résonante telles que PFC et LLC Excellente robustesse lors de la commutation dure de la diode de corps observée dans la topologie LLC Convient à une grande variété d'applications finales et de puissances ...

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transistor MOSFET

transistor MOSFETIPZA60R024P7

de puissance de commutation
transistor MOSFET
IPZA60R024P7

Courant: 101 A
Tension: 600 V

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transistor MOSFET

transistor MOSFETIPW60R024P7

de puissance de commutation
transistor MOSFET
IPW60R024P7

Courant: 101 A
Tension: 600 V

... commutation dure et résonante telles que PFC et LLC Excellente robustesse lors de la commutation dure de la diode de corps observée dans la topologie LLC Convient à une grande variété d'applications finales et de puissances ...

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transistor MOSFET

transistor MOSFETIPAN60R600P7S

de puissance de commutation
transistor MOSFET
IPAN60R600P7S

Courant: 6 A
Tension: 600 V

... commutation dure et résonante telles que PFC et LLC Excellente robustesse lors de la commutation dure de la diode de corps observée dans la topologie LLC Convient à une grande variété d'applications finales et de puissances ...

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transistor MOSFET

transistor MOSFETIPAN60R280P7S

de puissance de commutation
transistor MOSFET
IPAN60R280P7S

Courant: 12 A
Tension: 600 V

... commutation dure et résonante telles que PFC et LLC Excellente robustesse lors de la commutation dure de la diode de corps observée dans la topologie LLC Convient à une grande variété d'applications finales et de puissances ...

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