Transistor MOSFET ISS17EP06LM

de puissancede commutationà avalanche

Les MOSFETs OptiMOS™ à canal P en boîtier SOT-23 sont idéalement adaptés aux commutateurs de charge, à la gestion des batteries ainsi qu'aux applications de protection contre l'inversion de polarité. Le principal avantage des MOSFETs OptiMOS™ à canal P est la simplification de la complexité de conception dans les applications de moyenne et faible puissance. Son interface facile avec l'unité de microcontrôle (MCU), sa commutation rapide ainsi que sa robustesse aux avalanches font des MOSFETs à canal P OptiMOS™ d'Infineon des produits adaptés aux applications exigeantes de haute qualité. Les produits améliorent l'efficacité à faible charge grâce à leur faible Qg.Ils sont disponibles en niveau normal et logique et présentent une large plage de RDS(on). Résumé des caractéristiques : Large plage de RDS(on) Disponibilité en niveau normal et en niveau logique Avantages : Interface facile avec le MCU Efficacité améliorée à faible charge grâce à un faible Qg Commutation rapide Robustesse de l'avalanche Applications cibles : Batterie Consommateurs Automatisation industrielle Entraînements industriels