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Courant: -16,4 A
Tension: -60 V
... de gestion d'alimentation au niveau carte nécessitant un
MOSFET canal P en boîtier DPAK.
Caractéristiques techniques / spécifications
- Type de composant : MOSFET de puissance canal P
- VDS
Infineon Technologies AG
Courant: 40 A
Tension: 40 V
... Brève description
Le BSZ063N04LS6 est un
MOSFET de puissance N‑canal OptiMOS 6, 40 V, destiné aux alimentations à découpage (SMPS), aux chargeurs de batteries et aux applications d'ORing. Il présente un RDS(on) réduit d'environ ...
Infineon Technologies AG
Courant: 61 A
Tension: 600 V
... empêchant les défaillances dues aux décharges électrostatiques (ESD) Le RG intégré réduit la sensibilité à l'oscillation du MOSFET Le MOSFET est adapté aux topologies de commutation dure et résonante telles que PFC et ...
Infineon Technologies AG
Courant: 61 A
Tension: 600 V
... empêchant les défaillances dues aux décharges électrostatiques (ESD) Le RG intégré réduit la sensibilité à l'oscillation du MOSFET Le MOSFET est adapté aux topologies de commutation dure et résonante telles que PFC et ...
Infineon Technologies AG
Courant: 61 A
Tension: 600 V
... empêchant les défaillances dues aux décharges électrostatiques (ESD) Le RG intégré réduit la sensibilité à l'oscillation du MOSFET Le MOSFET est adapté aux topologies de commutation dure et résonante telles que PFC et ...
Infineon Technologies AG
Courant: 20 A
Tension: 600 V
... empêchant les défaillances dues aux décharges électrostatiques (ESD) Le RG intégré réduit la sensibilité à l'oscillation du MOSFET Le MOSFET est adapté aux topologies de commutation dure et résonante telles que PFC et ...
Infineon Technologies AG
Courant: 18 A
Tension: 600 V
... empêchant les défaillances dues aux décharges électrostatiques (ESD) Le RG intégré réduit la sensibilité à l'oscillation du MOSFET Le MOSFET est adapté aux topologies de commutation dure et résonante telles que PFC et ...
Infineon Technologies AG
Courant: 9 A
Tension: 600 V
... empêchant les défaillances dues aux décharges électrostatiques (ESD) Le RG intégré réduit la sensibilité à l'oscillation du MOSFET Le MOSFET est adapté aux topologies de commutation dure et résonante telles que PFC et ...
Infineon Technologies AG
Courant: 101 A
Tension: 600 V
... empêchant les défaillances dues aux décharges électrostatiques (ESD) Le RG intégré réduit la sensibilité à l'oscillation du MOSFET Le MOSFET est adapté aux topologies de commutation dure et résonante telles que PFC et ...
Infineon Technologies AG
Courant: 101 A
Tension: 600 V
... empêchant les défaillances dues aux décharges électrostatiques (ESD) Le RG intégré réduit la sensibilité à l'oscillation du MOSFET Le MOSFET est adapté aux topologies de commutation dure et résonante telles que PFC et ...
Infineon Technologies AG
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