Transistor MOSFET IPAN60R600P7S

de puissancede commutation

Le MOSFET à superjonction CoolMOS™ P7 est le successeur de la série CoolMOS™ P6. Il continue d'équilibrer le besoin d'un rendement élevé et la facilité d'utilisation dans le processus de conception. Le meilleur RonxA de sa catégorie et la charge de grille intrinsèquement faible (QG) de la plateforme CoolMOS™ de 7e génération garantissent son rendement élevé. Résumé des caractéristiques : Efficacité P7 permet d'excellentes FOM RDS(on)xEoss et RDS(on)xQG Facilité d'utilisation Diode ESD intégrée à partir de 180mN RDS(on)s Résistance de grille intégrée RG Diode à corps robuste Large gamme de boîtiers à trous débouchants et à montage en surface Des pièces de qualité standard et de qualité industrielle sont disponibles Avantages : Efficacité Les excellents FOM RDS(on)xQG / RDS(on)xEoss permettent une plus grande efficacité Facilité d'utilisation Facilité d'utilisation dans les environnements de fabrication en empêchant les défaillances dues aux décharges électrostatiques (ESD) Le RG intégré réduit la sensibilité à l'oscillation du MOSFET Le MOSFET est adapté aux topologies de commutation dure et résonante telles que PFC et LLC Excellente robustesse lors de la commutation dure de la diode de corps observée dans la topologie LLC Convient à une grande variété d'applications finales et de puissances de sortie Pièces disponibles pour les applications grand public et industrielles Applications potentielles Alimentation pour téléviseur SMPS industriel Télécommunications Eclairage