Transistor MOSFET BSP170I

de puissancede commutationà avalanche

Les MOSFET de puissance à canal P OptiMOS™ sont idéaux pour les commutateurs de charge, la gestion de batterie et les applications de protection contre l'inversion de polarité. Le principal avantage des MOSFET de puissance à canal P OptiMOS™ réside dans la simplification de la conception des applications de moyenne et faible puissance. Grâce à leur interface simple avec les microcontrôleurs (MCU), leur commutation rapide et leur résistance aux effets d'avalanche, les MOSFET de puissance OptiMOS™ d'Infineon conviennent parfaitement aux applications exigeant une qualité élevée. Caractéristiques Faible résistance à l'état passant Testés à 100 % contre les effets d’avalanche Niveau logique Placage des broches sans plomb ; conforme à la directive RoHS Certifiés pour les applications industrielles Avantages Interface aisée avec le microcontrôleur (MCU) Rendement amélioré à faible charge Commutation rapide Résistance aux effets d’avalanche Qualité et fiabilité inégalées