Transistor MOSFET ISC151N20NM6

de puissancede commutationaudio

L'ISC151N20NM6 OptiMOS™ 6 200 V établit une nouvelle référence technologique. Il répond aux exigences en matière de densité de puissance élevée, de rendement élevé et de fiabilité élevée. La technologie OptiMOS™ 6 200 V a été conçue pour offrir des performances optimales dans les applications d'entraînement de moteurs telles que les véhicules électriques légers (LEV), les chariots élévateurs et les drones. Grâce à sa valeur RDS(on) à la pointe du secteur, à un comportement de commutation amélioré et à un meilleur partage du courant, le nouvel OptiMOS™ 6 permet d’atteindre une densité de puissance plus élevée, de réduire le nombre de montages en parallèle et d’obtenir un meilleur comportement en matière d’EMI. Son comportement de commutation amélioré en fait également un choix idéal pour tout type d’application de commutation, notamment dans les télécommunications, les serveurs, le solaire ou l’audio. De plus, la combinaison d’une large zone de sécurité (SOA) et d’un RDS(on) leader du secteur en fait une solution parfaitement adaptée aux applications de commutation statique telles que les systèmes de gestion de batterie (BMS). Caractéristiques RDS(on) réduit de 42 % Excellent comportement en matière d’EMI et de commutation grâce à : un QRR (typ.) réduit de 45 % un QOSS (typ.) réduit de 42 % une diode plus souple (plus de 3 fois) une linéarité de capacité améliorée un VGS(th) serré et une faible transconductance facilitant le montage en parallèle SOA améliorée pour une robustesse accrue Avantages Faibles pertes de conduction Faibles pertes de commutation Fonctionnement stable avec des performances EMI améliorées Moins de mise en parallèle nécessaire Meilleur partage du courant en cas de mise en parallèle Conforme à la directive RoHS, sans plomb Classé MSL 1 selon la norme J-STD-020