Transistor MOSFET BSS84I

de puissancede commutationà avalanche

Les MOSFET de puissance à canal P OptiMOS™ sont idéaux pour les commutateurs de charge, la gestion de batterie et les applications de protection contre l'inversion de polarité. Le principal avantage des MOSFET de puissance à canal P OptiMOS™ réside dans la simplification de la conception des applications à moyenne et faible puissance. Grâce à leur interface simple avec les microcontrôleurs (MCU), leur commutation rapide et leur résistance aux avalanches, les MOSFET de puissance OptiMOS™ d’Infineon conviennent parfaitement aux applications exigeant une qualité élevée. Caractéristiques Testés à 100 % contre les avalanches Revêtement des broches sans plomb au niveau logique Placage des broches sans plomb ; conforme à la directive RoHS Qualifiés pour les applications industrielles Avantages Interface aisée avec le microcontrôleur (MCU) Rendement amélioré à faible charge Commutation rapide Résistance aux effets d’avalanche Qualité et fiabilité de premier ordre Résumé des caractéristiques : Large plage de RDS(on) Disponibles en niveaux normaux et logiques Avantages : Interface simple avec le microcontrôleur Rendement amélioré à faible charge grâce à un faible Qg Commutation rapide Résistance à l’avalanche Applications cibles : Batteries Électronique grand public Automatisation industrielle Entraînements industriels