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... Aperçu
Le R6024WNJ2 est un
MOSFET Super Junction PrestoMOS™ N‑canal 600 V en boîtier TOLL de faible hauteur pour montage en surface. Il combine faible RDS(on) et récupération inverse
rapide (trr), adapté aux ...
ROHM Semiconductor
... Présentation
Le R6055XNJ2 est un
MOSFET de puissance Super Junction N canal 600 V, conçu pour des applications de commutation haute
vitesse. Il associe faible résistance à l'état passant et commutation
rapide ...
ROHM Semiconductor
... équipements industriels et grand public (LLC, PFC, Flyback)
Caractéristiques
- Temps de récupération inverse
ROHM Semiconductor
... Aperçu
Il s'agit d'un
MOSFET Super Junction N-canal 600V à commutation haute
vitesse, conditionné en boîtier CMS bas profil TOLL (MO-299). Il présente une faible RDS(on), des caractéristiques d'admittance améliorées ...
ROHM Semiconductor
... Aperçu
Le R6038XNJ2 est un
MOSFET de puissance Super Junction N‑canal 600 V à commutation rapide, offrant un faible RDS(on) et de bonnes caractéristiques de commutation dans un boîtier CMS compact TOLL. Il est conçu pour des ...
ROHM Semiconductor
... spécifiée entre 3 et 5 V, ce qui permet une
large plage de conditions de pilotage.
Caractéristiques clés
- Faible résistance à l'état passant (typ. 0,154 Ω à VGS=10 V)
- Commutation rapide
ROHM Semiconductor
... Présentation
Ce
MOSFET SiC en boîtier TSC3PAK pour montage en surface intègre une structure de dissipation thermique par le dessus ; la surface de dissipation se situe sur le haut du boîtier, permettant le montage automatisé ...
ROHM Semiconductor
... Vue d'ensemble
Le
MOSFET SiC SCT4062KTWHR en boîtier TSC3PAK est destiné aux applications de commutation et de conversion d'énergie haute tension. Il associe faible résistance à l'état passant et commutation
rapide ...
ROHM Semiconductor
... industriel.
Caractéristiques clés
- Grande distance de fuite : min. 6,66 mm
- Faible résistance drain-source à l'état passant (Typ. 62 mΩ)
- Commutation rapide et récupération inverse
ROHM Semiconductor
... environnement de degré de pollution 2. Le dispositif intègre la 4e génération de MOSFET SiC (Trench) de ROHM pour obtenir une faible Rds(on) et une commutation haute vitesse, réduisant les pertes de commutation et améliorant ...
ROHM Semiconductor
... Présentation
Les
MOSFETs en carbure de silicium (SiC) mSiC® permettent des fréquences de commutation plus élevées et une efficacité améliorée, réduisant la taille des composants, supportant des tensions de blocage supérieures ...
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