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MOSFET à grande vitesse R6035WNJ2
résistance haute tensionnon spécifié

MOSFET à grande vitesse - R6035WNJ2 - ROHM Semiconductor - résistance haute tension / non spécifié

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Caractéristiques

Spécifications: à grande vitesse, résistance haute tension

Description

Aperçu
Le R6035WNJ2 est un MOSFET Super Junction canal N PrestoMOS™ de 600 V en boîtier CMS bas profil TOLL (MO-299). Il associe faible RDS(on) et commutation/ récupération rapides pour les applications de puissance à haute densité, avec une plage de seuil de grille adaptée (3–5 V).

Contexte de développement
La montée des besoins en puissance et les contraintes d'encombrement dans les serveurs AI, les centres de données et les équipements industriels exigent une densité de puissance supérieure et des pertes de conduction et de commutation réduites. Le R6035WNJ2 répond à ces exigences en améliorant les caractéristiques d'admittance et les performances thermiques dans un boîtier CMS compact, tout en conservant une bonne compatibilité avec les conditions d'entraînement standard et les besoins de multi-sourcing.

Exemples d'application

Alimentations pour serveurs AI et centres de données
Alimentations à découpage pour équipements industriels et grand public (LLC, PFC, Flyback)
Commandes de moteurs et onduleurs pour ventilateurs, servomoteurs AC et charges similaires

Caractéristiques

Temps de récupération inverse rapide (trr)
Faible résistance de conduction (RDS(on))
Vitesse de commutation élevée, pertes de commutation réduites
Exigences d'entraînement simples (plage VGS compatible avec pilotes standards)
Placage sans Pb; conforme RoHS
Composé de moulage sans halogènes

Caractéristiques / spécifications techniques

Référence: R6035WNJ2TRDC
Statut: Recommandé
Nom commercial: R6035WNJ2
Boîtier: TOLL (MO-299)
Type d'emballage: Taping
Quantité par unité: 2000
Quantité minimale par emballage: 2000
RoHS: Oui
MSL: 1
Code boîtier: TOLL (MO-299)
Applications: Commutation
Nombre de broches: 9
Polarité: Canal N
Tension Drain-Source (VDS): 600 V
Courant de drain (ID): 105 A
RDS(on) Typ (VGS=10V): 0,095 Ω (95 mΩ)
Charge totale de grille (Qg): 46 nC
Puissance dissipable (PD): 347 W
Tension d'entraînement: 10 V
trr (Typ.): 85 ns
Montage: Montage en surface
Température de stockage: -55 ℃ (Min) à 150 ℃ (Max)
Dimensions du boîtier: 11.68 x 9.9 mm (t = 2.4)

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