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MOSFET résistance haute tension R6024WNJ2
à grande vitesseen silicium

MOSFET résistance haute tension - R6024WNJ2 - ROHM Semiconductor - à grande vitesse / en silicium

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Caractéristiques

Spécifications: résistance haute tension, à grande vitesse
Matériau: en silicium

Description

Aperçu
Le R6024WNJ2 est un MOSFET Super Junction PrestoMOS™ N‑canal 600 V en boîtier TOLL de faible hauteur pour montage en surface. Il combine faible RDS(on) et récupération inverse rapide (trr), adapté aux applications de commutation à forte densité de puissance, notamment les alimentations pour serveurs AI et équipements industriels. La tension de seuil de grille est définie autour de 3–5 V pour couvrir les conditions de commande courantes. Les caractéristiques d'admittance améliorées réduisent les pertes par rapport aux séries précédentes et augmentent la polyvalence d'utilisation.

Caractéristiques

Récupération inverse rapide (trr) pour réduire les pertes de commutation
Faible résistance à l'état passant (RDS(on))
Vitesse de commutation élevée
Exigences simples pour le circuit de commande (tension de commande recommandée 10 V)
Placage sans plomb ; conforme RoHS
Matériau de moulage sans halogène

Exemples d'applications

Alimentations pour serveurs AI et centres de données
Alimentations pour équipements industriels et grand public (LLC, PFC, Flyback, etc.)
Commandes moteurs et onduleurs pour ventilateurs, servomoteurs AC et applications similaires

Nom du modèle : R6024WNJ2
Numéro de pièce (code de commande) : R6024WNJ2TRDC
Code boîtier : TOLL (MO‑299)
Applications : Switching
Nombre de broches : 9
Polarité : N‑canal
Tension Drain‑Source VDS : 600 V
Courant de drain ID : 72 A
RDS(on) [Ω] (VGS = 10 V, Typ) : 0,127 Ω
Charge totale de grille Qg : 35 nC
Puissance dissipable PD : 245 W
Tension de commande (recommandée) : 10 V
trr (Typ.) : 74 ns
Type de montage : Montage en surface
Température de stockage : -55 ℃ (Min) à 150 ℃ (Max)
Dimensions du boîtier : 11.68 x 9.9 mm (t = 2.4 mm)

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