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MOSFET à grande vitesse R6049XNJ2
résistance haute tensionen silicium

MOSFET à grande vitesse - R6049XNJ2 - ROHM Semiconductor - résistance haute tension / en silicium

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Caractéristiques

Spécifications: à grande vitesse, résistance haute tension
Matériau: en silicium

Description

Aperçu
Il s'agit d'un MOSFET Super Junction N-canal 600V à commutation haute vitesse, conditionné en boîtier CMS bas profil TOLL (MO-299). Il présente une faible RDS(on), des caractéristiques d'admittance améliorées par rapport à la série R60xxYNx précédente, et une tension de seuil de grille VGS(th) située dans la plage courante 3–5V pour supporter divers modes de commande. Le pas de boîtier est compatible avec les empreintes courantes du marché, facilitant le remplacement et la multi-sourcing dans les alimentations existantes.

Contexte de développement
La hausse des charges de calcul dans les centres de données et les équipements industriels accroît la demande d'efficacité énergétique des alimentations, de réduction des pertes thermiques et d'une densité de puissance plus élevée dans un encombrement réduit. Ce MOSFET a été développé pour répondre à ces exigences en offrant des pertes de conduction et de commutation réduites et en utilisant un boîtier CMS à performances thermiques améliorées pour permettre des conceptions d'alimentation compactes et haute densité.

Exemples d'applications

Alimentations pour serveurs AI et centres de données
Alimentations pour équipements industriels et grand public (LLC, PFC, Flyback, etc.)
Commandes de moteurs et onduleurs pour ventilateurs, servomoteurs AC et applications similaires

Caractéristiques

Faible résistance à l'état passant (RDS(on))
Commutation rapide
Exigences de circuit de commande simplifiées
Placage sans plomb ; conforme RoHS
Compound de moulage sans halogènes

Caractéristiques techniques

Numéro de pièce : R6049XNJ2TRDC
Nom commercial : R6049XNJ2
Boîtier : TOLL (MO-299)
Type d'emballage : Taping
Quantité unitaire / Quantité minimale : 2000
RoHS : Yes
MSL : 1
Applications : Switching
Nombre de broches : 9
Polarité : N-canal
Tension Drain-Source V DSS [V] : 600
Courant de drain ID [A] : 147
RDS(on) [Ω] (VGS=10V, Typ) : 0,068
Charge totale de grille Qg [nC] : 58
Puissance dissipable (PD) [W] : 448
Tension de pilotage [V] : 10
trr (Typ.) [ns] : 306
Montage : Montage en surface
Température de stockage (Min) [°C] : -55
Température de stockage (Max) [°C] : 150
Dimensions du boîtier [mm] : 11.68 x 9.9 (t = 2.4)

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