MOSFET à grande vitesse

pour applications automobilesSiCrésistance haute tension

Présentation
Les MOSFETs en carbure de silicium (SiC) mSiC® permettent des fréquences de commutation plus élevées et une efficacité améliorée, réduisant la taille des composants, supportant des tensions de blocage supérieures et offrant une forte capacité en avalanche. Conçus pour des systèmes de puissance moyenne à haute tension, les MOSFETs mSiC® fournissent une diode de corps stable, une longue durée de vie de l'oxyde et des performances de tenue en avalanche et en court‑circuit leaders sur le marché pour améliorer la fiabilité et la disponibilité des systèmes.

MOSFETs SiC discrets haute performance
Notre gamme mSiC® couvre des tensions de 700 V à 3,3 kV et est optimisée pour des étages de puissance compacts et efficaces dans des applications exigeantes telles que l'aéronautique, la mobilité électrique, les entraînements industriels et les convertisseurs pour énergies renouvelables.

Caractéristiques

• Fonctionnement à haute température de jonction (Tj = 175°C) avec faible dérive de RDS(on) sur la plage de température
• Stabilité d'oxyde de grille leader (dérive Vth < 100 mV) et longue durée de vie de l'oxyde
• Tenue en avalanche Unclamped Inductive Switching (UIS) (> 100k impulsions)
• Temps de tenue en court‑circuit prolongé et comportement de diode de corps stable

Avantages

• Permet des fréquences de commutation supérieures et une meilleure efficacité de conversion
• Plus haute densité de puissance pour des systèmes plus petits et plus légers
• Robustesse et fiabilité accrues en conditions sévères
• Réduit le besoin de dispositifs SiC redondants dans de nombreuses conceptions
• Réduction des besoins de refroidissement et du coût système global

Notre avantage

• Multiples sources d'épi et doubles usines SiC pour sécuriser l'approvisionnement à long terme
• Classement UIS avalanche inégalé et performances court‑circuit robustes
• Temps de tenue de l'oxyde de grille le plus long publié
• Pratique d'obsolescence pilotée par le client pour répondre aux exigences de cycle de vie

Cartes de démonstration et d'évaluation

• Carte d'évaluation pilote de grille discrète mono‑canal (plateforme exemple)
• Carte d'évaluation demi‑pont (plateforme exemple)
• Outil d'évaluation rapide Power Motherboard — pour mesure des pertes de conduction/commutation, test double‑impulsion et analyse de convertisseur

Applications

• Mobilité électrique et chaînes de traction automobiles (variantes AEC‑Q101 disponibles)
• Conversion d'énergie pour énergies renouvelables
• Systèmes aérospatiaux et applications à haute fiabilité
• Entraînements moteurs industriels, traction et alimentations

Spécifications techniques

• Plage de tension : 700 V à 3 300 V
• Température de jonction maximale (Tj) : prise en charge jusqu'à 175°C
• Stabilité de l'oxyde de grille : < 100 mV de dérive Vth sur la durée de vie
• Durée de vie de l'oxyde : > 100 ans (caractéristique publiée)
• Tenue avalanche (UIS) : > 100k impulsions
• Diode de corps stable et capacité de tenue en court‑circuit robuste
• Offres grade automobile disponibles (variantes qualifiées AEC‑Q101)