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MOSFET résistance haute tension R6020XNJ2
à grande vitesseen silicium

MOSFET résistance haute tension - R6020XNJ2 - ROHM Semiconductor - à grande vitesse / en silicium

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Caractéristiques

Spécifications: résistance haute tension, à grande vitesse
Matériau: en silicium

Description

Présentation
Le R6020XNJ2 est un MOSFET Super Junction de commutation rapide, 600 V, présenté en boîtier CMS TOLL à faible profil. Il offre un faible RDS(on) et des caractéristiques d'admittance améliorées par rapport à la série R60xxYNx, réduisant les pertes de conduction et de commutation dans les alimentations compactes telles que les alimentations pour serveurs IA et équipements industriels. La tension de seuil de grille est spécifiée entre 3 et 5 V, ce qui permet une large plage de conditions de pilotage.

Caractéristiques clés

Faible résistance à l'état passant (typ. 0,154 Ω à VGS=10 V)
Commutation rapide adaptée aux convertisseurs haute fréquence
Compatible avec des circuits de pilotage simples (tension de pilotage typique 10 V)
Placage sans plomb ; conforme RoHS
Composé de moulage sans halogènes

Applications

Alimentations pour serveurs IA et centres de données
Alimentations pour équipements industriels et grand public (LLC, PFC, flyback, etc.)
Variateurs et onduleurs pour ventilateurs, servomoteurs AC et applications similaires

Modèle : R6020XNJ2
Code boîtier : TOLL (MO-299)
Usage : Switching
Nombre de broches : 9
Polarité : N-channel
Tension drain-source (VDS) : 600 V
Courant drain (ID) : 60 A
RDS(on) (Typ) @ VGS=10 V : 0,154 Ω
Charge totale de la grille Qg : 25 nC
Puissance dissipable (PD) : 182 W
Tension de pilotage (typ) : 10 V
trr (Typ.) : 250 ns
Montage : Surface mount
Température de stockage : -55 ℃ à 150 ℃
Dimension du boîtier (mm) : 11.68 x 9.9 (t = 2.4)

Remarques
Produit de grade standard ; consulter la fiche technique pour les conditions détaillées, les recommandations thermiques et d'application. L'utilisation en automobile n'est pas recommandée.

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