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ROHM Semiconductor

MOSFET résistance haute tension R6055XNJ2
à grande vitesseen semi-conducteuren silicium

MOSFET résistance haute tension - R6055XNJ2 - ROHM Semiconductor - à grande vitesse / en semi-conducteur / en silicium

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Caractéristiques

Spécifications: résistance haute tension, à grande vitesse
Matériau: en semi-conducteur, en silicium

Description

Présentation
Le R6055XNJ2 est un MOSFET de puissance Super Junction N canal 600 V, conçu pour des applications de commutation haute vitesse. Il associe faible résistance à l'état passant et commutation rapide dans un boîtier CMS TOLL compact offrant une bonne dissipation thermique et une empreinte compatible marché. La tension de seuil de grille est typiquement de 3 à 5 V, permettant une large compatibilité des circuits de commande.

Caractéristiques

Faible résistance RDS(on) (typ. 0,057 Ω @ VGS = 10 V)
Commutation ultra‑rapide
Simplicité des circuits de pilotage (tension recommandée 10 V)
Placage sans plomb; conforme RoHS
Matière de moulage sans halogènes

Applications

Éléments de commutation pour conversion d'énergie
Alimentations pour serveurs IA et centres de données
Alimentations industrielles et grand public (LLC, PFC, Flyback, etc.)
Entraînements de moteurs et onduleurs (ventilateurs, servomoteurs AC, etc.)

Type de dispositif : MOSFET Super Junction, commutation haute vitesse
Polarité : N‑canal
Tension Drain‑Source (VDS) : 600 V
Courant de drain (ID) : 165 A
RDS(on) (Typ) @ VGS = 10 V : 0,057 Ω
Charge totale de la grille Qg (Typ) : 67 nC
Puissance dissipable (PD) : 521 W
Tension de pilotage recommandée : 10 V
t_rr (Typ.) : 372 ns
Nombre de broches : 9
Mode de montage : montage en surface (CMS)
Température de stockage : -55 °C à 150 °C
Dimensions du boîtier : 11,68 × 9,9 mm (ép. 2,4 mm)

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