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MOSFET à grande vitesse R6038XNJ2
résistance haute tensionen silicium

MOSFET à grande vitesse - R6038XNJ2 - ROHM Semiconductor - résistance haute tension / en silicium
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Caractéristiques

Spécifications
à grande vitesse, résistance haute tension
Matériau
en silicium

Description

Aperçu
Le R6038XNJ2 est un MOSFET de puissance Super Junction N‑canal 600 V à commutation rapide, offrant un faible RDS(on) et de bonnes caractéristiques de commutation dans un boîtier CMS compact TOLL. Il est conçu pour des applications de commutation à forte densité d’énergie et encombrement réduit, par exemple les alimentations pour serveurs AI, centres de données et équipements industriels. La tension de seuil de grille VGS(th) est spécifiée autour de 3–5 V, ce qui facilite la compatibilité avec les circuits d'entraînement courants.

Caractéristiques
  • Faible résistance à l’état passant (RDS(on) typ. 0,08 Ω à VGS=10 V)
  • Commutation rapide (trr typ. 291 ns)
  • Exigences d'entraînement simplifiées (tension de commande recommandée 10 V)
  • Placage sans plomb ; conforme RoHS
  • Composé de moulage sans halogène


Exemples d'applications
  • Alimentations pour serveurs AI et centres de données
  • Alimentations à découpage pour équipements industriels et grand public (LLC, PFC, Flyback, etc.)
  • Variateurs et onduleurs pour ventilateurs, servomoteurs AC et autres applications moteurs


Informations produit (emballage / commande)
Numéro de pièce : R6038XNJ2TRDC
Statut : Recommandé
Boîtier : TOLL (MO-299)
Type d'emballage : Taping
Quantité par unité : 2000
Quantité minimale par emballage : 2000
RoHS : Oui
MSL : 1

Notes de développement
Ce produit répond aux besoins croissants en puissance et en rendement en réduisant les pertes de conduction et de commutation et en améliorant la dissipation thermique dans un boîtier CMS au pas et empreinte courants du marché, facilitant la conception compacte et le remplacement par des sources alternatives.

Caractéristiques techniques
  • Modèle : R6038XNJ2
  • Code de boîtier : TOLL (MO-299)
  • Applications : Commutation
  • Nombre de broches : 9
  • Polarité : N‑canal
  • Tension Drain‑Source V(DSS) : 600 V
  • Courant de drain I(D) : 114 A
  • RDS(on) (Typ) @ VGS=10 V : 0,08 Ω
  • Charge totale de grille Qg : 48 nC
  • Puissance dissipée PD : 348 W
  • Tension de commande recommandée : 10 V
  • trr (Typ.) : 291 ns
  • Type de montage : Montage en surface
  • Température de stockage : -55 °C à 150 °C
  • Dimensions du boîtier : 11,68 x 9,9 mm (épaisseur 2,4 mm)

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