Four à chambre SC-1600-III
de croissance cristallineà résistances électriquessous gaz inerte

Four à chambre - SC-1600-III - Wuxi Autowell Technology Company - de croissance cristalline / à résistances électriques / sous gaz inerte
Four à chambre - SC-1600-III - Wuxi Autowell Technology Company - de croissance cristalline / à résistances électriques / sous gaz inerte
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Caractéristiques

Configuration
à chambre
Fonction
de croissance cristalline
Source de chaleur
à résistances électriques
Atmosphère
sous gaz inerte
Autres caractéristiques
automatique

Description

Machine de tirage de lingots monocristallins de troisième génération SCEC : cette machine de tirage de lingots monocristallins à faible teneur en oxygène permet de faire fondre le silicium à l'aide d'un élément chauffant en graphite dans une atmosphère inerte (argon, azote), puis de faire croître automatiquement un lingot de silicium monocristallin exempt de dislocations selon la méthode CZ. La solution unique de réduction de la teneur en oxygène mise au point par SCEC permet de réduire efficacement de 40 % la teneur en oxygène des lingots de silicium monocristallin et d'améliorer le rendement des cellules de type N 210 de 0,1 % à 0,2 %. Le four de croissance cristalline est un équipement de croissance cristalline de type à tirage à arbre flexible qui, dans une atmosphère inerte à une pression inférieure à la pression atmosphérique, utilise un élément chauffant à résistance en graphite pour faire fondre les matériaux de silicium chargés dans le creuset en quartz, et permet de faire croître des lingots de silicium monocristallin de haute qualité, exempts de dislocations, à l’aide de la méthode Czochralski.Le four de croissance cristalline à faible teneur en oxygène, conçu pour répondre aux exigences de faible teneur en oxygène du processus de fabrication des cellules de type N, permet de réduire la teneur en oxygène, d’augmenter la durée de vie des porteurs minoritaires, d’améliorer le taux de cristallisation et d’augmenter la production quotidienne grâce à des moyens techniques tels que la purge à l’argon, la simulation du processus dans la zone chaude et des algorithmes de contrôle logiciels, ce qui améliore ainsi efficacement le rendement des cellules de type N. Procédé entièrement automatisé croissance du col – croissance de la couronne – croissance de l’épaulement – croissance du corps – croissance de la queue Capacité de contrôle du diamètre ≤ ±0,5 mm Contrôle intelligent de la température la zone chaude exclusive de SCEC permet un contrôle stable de la température Conception modulaire le système de contrôle logiciel convivial dispose de fonctions complètes et prend en charge les mises à niveau personnalisées Réduction des coûts de main-d’œuvre la croissance cristalline intelligente réduit l’intervention humaine

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.