Le RM-LSR-9000 utilise la technologie de passivation locale sélective au laser pour réduire avec précision les défauts au niveau des bords de découpe et la recombinaison des porteurs aux bords. Tout en permettant une mise à niveau économique de la chaîne de production, la puissance de chaque module est augmentée de manière stable de 6 à 10 W. Il est parfaitement adapté aux plaquettes de silicium de grande taille (182/210) et à la production en série de cellules à haut rendement courantes telles que les TOPCon et les HJT, ce qui en fait la solution technique clé pour améliorer la qualité et le rendement des cellules photovoltaïques à ce stade.
Capacité
≥ 9 000 UPH@182R
Laser
Laser picoseconde vert à haute stabilité
Faisceau
Conception optimisée de la mise en forme du faisceau
Haute capacité, faible dommage, haute stabilité
Processus simplifié
Processus simple, facile à contrôler, aucune modification de la ligne de production nécessaire.
Augmentation de la puissance
Gain de puissance du module ≥ 2 W.
Large compatibilité
Avec le développement des cellules à découpe 1/3 ou 1/4, le rendement présente un effet additif, que la passivation des bords par ALD soit appliquée ou non : le procédé laser est compatible avec les deux scénarios.
Modernisation flexible
Prise en charge de la modernisation des systèmes PERC et TopCon existants.
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