- Électricité - Électronique
- Composant Électronique
- Transistor IGBT
- Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
Module transistors IGBT RT200TL65A8H-S09de commutation
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Caractéristiques
- Type
- IGBT
- Technologie
- de commutation
Description
Caractéristiques :
- IGBT à porte en tranchée avec arrêt sur site
- Résistance aux courts-circuits>10ps
- - Faible tension de saturation
- Faible perte de commutation
- 100% testé RBSOA (2*lc)
- Faible inductance parasite
- Sans plomb, conforme aux exigences de la directive RoHS
- Solution d'assemblage avec broches de signal PressFIT et bornes d'alimentation à vis
Applications :
- - Entraînements de moteurs
- - Applications solaires
- - Systèmes UPS
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Catalogues
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Discrete IGBT & Module power semi conductors
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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.