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Transistor IGBT RGW40N120T1B
de puissance

Transistor IGBT - RGW40N120T1B - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de puissance
Transistor IGBT - RGW40N120T1B - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de puissance
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Caractéristiques

Type
IGBT
Technologie
de puissance
Courant

40 A

Tension

1 200 mV

Description

CARACTÉRISTIQUES -Tension de claquage élevée jusqu'à 1200V pour une meilleure fiabilité -Technologie d'arrêt d'urgence : >distribution très serrée des paramètres >grande robustesse, comportement stable en température >Tenue en court-circuit - 1 Ops >Grande robustesse, stabilité en température >Faible VcE(SAT) >Facilité de commutation en parallèle grâce au coefficient de température positif en VcE(SAT) -Capacité d'avalanche améliorée APPLICATION - Convertisseurs de fréquence - Entraînement moteur

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Ceci est une traduction automatique  (voir l’original en anglais)

Catalogues

Autres produits Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,

Discrete IGBT & Module power semi conductors

* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.
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