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Transistor IGBT RGW40N120F1A
de puissance

Transistor IGBT - RGW40N120F1A - Rongtech Industry (Shanghai) Inc., - de puissance
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Caractéristiques

Type
IGBT
Technologie
de puissance
Courant

40 A

Tension

1 200 V

Description

CARACTÉRISTIQUES -Tension de claquage élevée jusqu'à 1200V pour une meilleure fiabilité -Technologie d'arrêt d'urgence : >Commutation à grande vitesse >Grande robustesse, stabilité en température >Faible VcEsat >Facilité de commutation en parallèle grâce au coefficient de température positif en VcEsat - Capacité d'avalanche améliorée APPLICATION -Alimentations sans coupure -Onduleur solaire Soudage -Soudage -Applications PFC

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Ceci est une traduction automatique  (voir l’original en anglais)

VIDÉO

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Autres produits Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,

Discrete IGBT & Module power semi conductors

* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.
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