Module transistors IGBT RTS40FB120T5HB
de puissance

module transistors IGBT
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Caractéristiques

Type
IGBT
Technologie
de puissance
Courant

40 A

Tension

1 200 V

Description

Court-circuit nominal>10jjs -Basse tension de saturation : Vce (sat) = 2.15V @ lc = 40A, Tc=25'C -Faible perte de commutation -100 % testé RBSOA (2*lc>>) -Inductance faible de l'égouttage -Sans plomb, conforme aux exigences en matière deRoHS Applications : -Onduleurs industriels -Applications Servo

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