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Diodes de redressement
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Tension directe: 280, 380, 330, 340 V
Tension inverse: 4 500, 5 500, 6 000 V
... part, sont des dispositifs complémentaires pour la conversion CC en CA. Chaque commutateur (GTO, TCGI ou IGBT) nécessite une diode complémentaire (p. ex., pour la puissance réactive en roue "" libre) afin de permettre le fonctionnement ...
Tension directe: 30 V - 200 V
Tension inverse: 0,4 V - 0,9 V
... seront utilisés dans les convertisseurs DC/DC haute performance de qualité automobile grâce à l'intégration du redressement et de la diode de roue libre dans le même boîtier, et dans les fonctions améliorées de protection ...
STMicroelectronics
Tension directe: 10 V - 120 V
Tension inverse: 100 V - 1 200 V
... Diodes et redresseurs - Diodes de moyenne et haute puissance Les redresseurs de moyenne et haute puissance sont disponibles dans plusieurs boîtiers, y compris les capsules de hockey et les goujons vissés. Les classes de tension sont disponibles de 50 ...
Tension directe: 0,23 V - 1,18 V
Tension inverse: 2 V - 250 V
... Diodes schottky et redresseurs à faible perte et à courant élevé. ...
ON Semiconductor
Tension inverse: 40 V - 1 600 V
... de miniaturisation, une nouvelle génération de diodes à puce de Bourns est apparue, offrant la possibilité de fournir une diode en silicium avec un encombrement minimal. Les diodes 0603, 1005 et 1206 pour petits signaux sont sans plomb ...
... Les diodes de bruit de Noisecom sont les éléments fondamentaux des systèmes de bruit analogiques. Elles sont classées en fonction des caractéristiques de performance qui améliorent leur sortie de bruit à large bande et leur réponse spectrale plate. Toutes ...
... Configuration:Bidirectionnelle Description:1500W, 100V, 10%, Bidirectionnel, TVS Famille:TVS IPP (A):10,9 IR (µA):1 PPK (W):1500 Forfait:DO-201 Statut : Actif TJ Max. (°C):175 Tolérance ± (%):10 VBR Max. (V):110 VBR Min. (V):90 VBR Nom. (V):100 VClamp ...
Tension directe: 3,3 V - 39 V
Diodes Incorporated
Tension directe: 200 V - 1 000 V
Tension inverse: 200 V - 1 000 V
... DESCRIPTION : La série de redresseurs à haute densité de courant CMMR1 à SEMICONDUCTEUR CENTRAL, dans un SOD-123F les boîtiers de montage en surface sont conçus pour tous les types d'ordinateurs commerciaux, industriels et automobiles les candidatures. ...
Central Semiconductor
Tension directe: 4 V
Tension inverse: 40, 45, 100 V
... Redressement de la sortie, protection de la polarité Applications typiques Appareils alimentés par batterie Redressement de la sortie dans les Convertisseurs DC/DC Protection de la polarité Diodes de roue libre Qualité ...
Diotec
Tension directe: 0,38 V - 0,95 V
Tension inverse: 20 V - 200 V
... Plage de tension d'attente inversée de 1.000V à 20.000V Courant moyen redressé vers l'avant de 0,2A à 0,75A ...
Frontier Electronics, Corp.
Tension directe: 10 V - 45 V
Tension inverse: 8 kV - 15 kV
... ※Features : Caractéristiques de commutation à grande vitesse, TRR 50-150ns. Faible fuite, résistant aux surtensions, résistant aux chocs. Grandes caractéristiques de protection contre les pannes de tension d'avalanche. Haute résistance ...
Anshan Suly Electronics Co., Ltd.
Tension directe: 1,2, 1,8 V
Tension inverse: 400 V - 1 000 V
... AS ENERGITM est un dispositif semi-conducteur de remplacement, analogue, alternatif et équivalent à la diode SKN 2F50/04 Semikron. Boîtier de la diode - E10, filetage standard de montage - М6, (sur demande, filetage UNF ...
AS ENERGI GLOBAL LLC
Tension directe: 12 V
Tension inverse: 12 kV
... Caractéristiques du produit 1. Faible fuite, résistance aux chocs et aux avalanches protection, etc. 2. Petite taille, facile à installer, adaptée à la production automatique. 3. Caractéristiques de commutation à grande vitesse, environnement la ...
Anshan Leadsun Electronics Co.Ltd
Tension inverse: 20 kV
... INTRODUIRE : L'ensemble redresseur de silicium haute tension de Rongtech est composé d'une puce de silicium de haute qualité et d'une structure d'étanchéité en résine époxy de haute fiabilité, ainsi que d'un équipement d'essai professionnel qualifié après ...
Tension directe: 5 V
... - Matériau à base de nitrure de gallium - Photodiode de type Schottky - Fonctionnement en mode photovoltaïque - Bonne cécité visible - Haute réactivité et faible courant d'obscurité - Durcissement par UV - Stérilisation par UV - Spectroscopie ...
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