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Module transistors IGBT RT75HF120T1VH-M
de commutation

module transistors IGBT

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Caractéristiques

Type: IGBT
Technologie: de commutation

Description

Caractéristiques : - IGBT Field Stop Trench Gâte - Résistance aux courts-circuits> 1Ops - Faible tension de saturation - Faible perte de commutation - Testé à 100% RBSOA (2*lc) - Faible inductance parasite - Sans plomb, conforme aux exigences de la directive RoHS Applications : - Machine à souder " Machine à découper - Placage Alimentation électrique* Chauffage par induction - SMPS, UPS

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Ceci est une traduction automatique (voir l’original en anglais)

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.

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