Module transistors IGBT RTU40HF120FA1
de puissance

module transistors IGBT
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Caractéristiques

Type
IGBT
Technologie
de puissance
Courant

40 A

Tension

1 200 V

Description

Caractéristiques : -1200V40A,VCE(sat)(typ.)=3,0V Vitesse de commutation ultra-rapide Excellente robustesse en court-circuit Module demi-pont de 34 mm Applications générales : Les IGBT de Rongtech offrent une vitesse de commutation ultra-rapide pour des applications telles que le soudage, le chauffage inductif, les onduleurs et autres applications haute fréquence

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Catalogues

* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.