Plaque en céramique

d'alumineen oxyde d'aluminiumde protection

Présentation du produit
Les bases et buses en céramique d'alumine (Al2O3) sont utilisées dans les équipements de traitement des semi‑conducteurs, tels que les implanters et les composants de générateurs d'électrons. Disponibles en grades 95 %, 99 % et 99,7 % Al2O3, ces composants assurent l'isolation électrique, une conductivité thermique élevée et la résistance mécanique nécessaires en environnement haute température et haute tension.

Propriétés principales

• Ingrédient chimique principal : Al2O3 (95 % / 99 % / 99,7 %)
• Masse volumique : 3,6 / 3,89 / 3,96 g/cm3
• Température d'utilisation maximale : 1450°C / 1600°C / 1650°C
• Conductivité thermique (20°C) : 16 / 30 / 30,4 W/m·K
• Résistance diélectrique : 8,3 (210) / 8,7 (220) / 8,7 (220) ac-kV/mm (ac V/mil)
• Résistivité volumique (100°C) : >10^13 / >10^14 / >10^14 ohm·cm
• Résistance à la flexion (20°C) : 358 (52) / 550 / 550 MPa
• Résistance à la compression (20°C) : 2068 (300) / 2600 (377) / 2600 (377) MPa
• Ténacité à la rupture K(Ic) : 4–5 / 5,6 / 6 MPa·m1/2

Applications
Utilisée comme éléments d'isolation, d'écran et pièces d'usure dans les générateurs d'électrons, équipements d'implantation et autres outils de fabrication de semi‑conducteurs. Convient aux pièces soumises à des températures élevées, à de fortes tensions ou à des atmosphères de procédé corrosives.

Caractéristiques techniques

• Ingrédient chimique principal : Al2O3 (95 % / 99 % / 99,7 %)
• Masse volumique (g/cm3) : 3,6 / 3,89 / 3,96
• Température d'utilisation maximale : 1450°C / 1600°C / 1650°C
• Absorption d'eau (%) : 0 / 0 / 0
• Dureté ROHS : ≥85 / ≥89 / ≥89
• Résistance à la flexion (20°C) MPa (psi x 10^3) : 358 (52) / 550 / 550
• Résistance à la compression (20°C) MPa (psi x 10^3) : 2068 (300) / 2600 (377) / 2600 (377)
• Ténacité à la rupture K(Ic) MPa·m1/2 : 4–5 / 5,6 / 6
• Coefficient de dilatation thermique (25-1000°C) 1×10^-6/°C : 7,6 / 7,9 / 8,2
• Conductivité thermique (20°C) W/m·K : 16 / 30 / 30,4
• Résistance au choc thermique (°C) : 250 / 200 / 200
• Constante diélectrique (1MHz, 25°C) : 9 / 9,7 / 9,7
• Résistance diélectrique ac-kV/mm (ac V/mil) : 8,3 (210) / 8,7 (220) / 8,7 (220)
• Résistivité volumique (100°C) ohm·cm : >10^13 / >10^14 / >10^14