Diode Schottky 1N58, APD, B05, B1 Series

SMDde redressementà faible perte

L'accent mis sur l'avancement de la technologie, les produits novateurs et la collaboration avec les clients, de la conception à la production, a permis à Diodes Incorporated d'adopter continuellement le portefeuille SBR et d'accroître sa part de marché. SBR, la prochaine génération de redresseurs Schottky, est une technologie brevetée et brevetée de Diodes Incorporated qui utilise un procédé de fabrication MOS (Schottky traditionnel utilise un procédé bipolaire) pour créer un dispositif supérieur à deux bornes qui a une tension directe (VF) inférieure à celle des diodes Schottky comparables tout en possédant la stabilité thermique et la haute fiabilité des diodes PN épitaxiale. Les diodes SBR sont conçues pour des applications à puissance élevée, à faibles pertes et à commutation rapide. La présence d'un canal MOS à l'intérieur de sa structure constitue une barrière à faible potentiel pour la majorité des porteuses, de sorte que le fonctionnement de la polarisation directe du SBR à basse tension est similaire à celui de la diode Schottky. Cependant, le courant de fuite est inférieur à celui de la diode Schottky en polarisation inversée en raison du chevauchement des couches d'appauvrissement du P-N et de l'absence de réduction potentielle de la barrière due à la charge de l'image. La gamme SBR de Diodes SBR est parfaitement adaptée pour répondre aux exigences des circuits de : - Alimentations à découpage (SMPS) - Diodes Buck/Boost pour la conversion DC-DC - Chargeurs de batterie - Protection contre l'inversion de polarité - Panneaux solaires - Eclairage LED - Applications automobiles