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Diode à jonction PN CLL series
pour montage en surfacede commutationen silicium

Diode à jonction PN - CLL series - Central Semiconductor - pour montage en surface / de commutation / en silicium
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Caractéristiques

Technologie
à jonction PN
Montage
pour montage en surface
Fonction
de commutation
Caractéristiques techniques
en silicium
Tension inverse

50 V, 75 V, 150 V, 200 V, 250 V

Description

Le type CLL2003 de CENTRAL SEMICONDUCTOR est une diode de commutation en silicium fabriquée par le procédé épitaxial planaire, conçue pour les applications nécessitant une capacité de tension élevée Le type CLL914 de CENTRAL SEMICONDUCTOR est une diode de commutation au silicium à ultra-haute vitesse fabriquée par le procédé épitaxial planaire, dans un boîtier de montage en surface en verre hermétiquement scellé, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse. Le type CLL3595 de CENTRAL SEMICONDUCTOR est une diode au silicium épitaxiale planaire, fabriquée dans un boîtier de montage en surface en verre hermétiquement scellé, conçue pour les applications à faible fuite et à haute conductance. Le type CLL4150 de CENTRAL SEMICONDUCTOR est une diode de commutation en silicium à ultra-haute vitesse fabriquée par le procédé épitaxial planaire, dans un boîtier de montage en surface en verre hermétiquement scellé, conçu pour les applications de commutation à haute vitesse.

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Ceci est une traduction automatique  (voir l’original en anglais)

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