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Diode à jonction PN BAS series
SMDde commutationen silicium

Diode à jonction PN - BAS series - Central Semiconductor - SMD / de commutation / en silicium
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Caractéristiques

Technologie
à jonction PN
Montage
SMD
Fonction
de commutation
Caractéristiques techniques
en silicium
Tension inverse

60 V, 75 V, 85 V

Description

Le BAS28 de CENTRAL SEMICONDUCTOR consiste en deux diodes de commutation au silicium à ultra-haute vitesse isolées électriquement, fabriquées par le procédé épitaxial planaire et emballées dans un boîtier de montage en surface SOT-143 moulé à l'époxy. Ce dispositif est conçu pour des applications de commutation à grande vitesse. CODE DE MARQUAGE : A61 ou JTW Le BAS56 de CENTRAL SEMICONDUCTOR consiste en deux diodes de commutation au silicium à ultra-haute vitesse isolées électriquement, fabriquées par le procédé épitaxial planaire et emballées dans un boîtier SOT-143 à montage en surface moulé à l'époxy. Ce dispositif est conçu pour les applications de commutation à grande vitesse. CODE DE MARQUAGE : L51 ou WL5

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Ceci est une traduction automatique  (voir l’original en anglais)

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