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Tension inverse: 600 V
... besoin de circuits d'amortissement Réduit la taille et le nombre des composants du filtre EMI Permet une commutation extrêmement rapide Applications Diode d'amplification de la correction du facteur de ...
Power Integrations
Tension inverse: 650 V
... récupération plus court, permettant une commutation à grande vitesse. CARACTÉRISTIQUES : Temps de récupération plus court Dépendance réduite vis-à-vis de la température Possibilité de commutation à grande ...
ROHM Semiconductor
Tension inverse: 70 V
... La diode CMDD6263 de CENTRAL SEMICONDUCTOR est une diode Schottky au silicium haute tension, à faible VF, dans un boîtier pour montage en surface, conçue pour les applications de commutation ...
Central Semiconductor
Tension directe: 1 V - 2,5 V
Tension inverse: 75 V - 100 V
Tension directe: 11 V - 22 V
Tension inverse: 20 kV - 90 kV
... ※Features : Caractéristiques de commutation à grande vitesse, TRR 50-150ns. Faible fuite, résistant aux surtensions, résistant aux chocs. Grandes caractéristiques de protection contre les pannes de tension ...
Anshan Suly Electronics Co., Ltd.
... 'appareil le plus cohérent et le plus polyvalent du marché et trouve des applications dans le mélange, la détection, la commutation, l'échantillonnage, le serrage et la mise en forme des ondes à des fréquences pouvant ...
Broadcom
Diodes Incorporated
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