Diode à jonction PN CMDD series

pour montage en surfacede commutationen silicium

Le type CMDD3003 de CENTRAL SEMICONDUCTOR est une diode de commutation au silicium fabriquée par le procédé épitaxial planaire, moulée par époxy dans un boîtier SUPERminiTM pour montage en surface, conçu pour les applications de commutation nécessitant une diode à très faible fuite. La Central Semiconductor CMDD2004 est une diode de commutation haute tension au silicium fabriquée par le procédé épitaxial planaire, moulée à l'époxy dans un boîtier SUPERmini™ pour montage en surface, conçue pour les applications nécessitant une capacité de haute tension. Le type CMDD4448 de CENTRAL SEMICONDUCTOR est une diode de commutation au silicium à très haute vitesse fabriquée par le procédé épitaxial planaire, moulée à l'époxy dans un boîtier SUPERminiTM pour montage en surface, conçue pour les applications de commutation à haute vitesse. Le type CMDD6001 de CENTRAL SEMICONDUCTOR est une diode de commutation au silicium fabriquée par le procédé épitaxial planaire, moulée à l'époxy dans un boîtier SUPERminiTM pour montage en surface, conçue pour les applications de commutation nécessitant une diode à très faible fuite.