Substrat céramique AMB

en nitrure d'aluminiumpour électronique de puissancemétallisé pour l'industrie électronique

Présentation du produit
AMB (Active Metal Brazing) est une méthode de brasage à haute température qui réalise une liaison chimique entre la céramique et le métal grâce à des éléments actifs (Ti, Zr) contenus dans le matériau d'apport. Ces éléments forment une couche réactive mouillable par le métal d'apport liquide, assurant une liaison chimique à haute résistance mécanique et une fiabilité durable pour les emballages de dispositifs de puissance.

Éléments actifs et notes de procédé
Le taux d'éléments actifs est généralement maintenu entre 2 % et 8 % pour garantir l'activité. Un taux trop élevé augmente la fragilité du métal d'apport et peut réduire la résistance d'étanchéité ; un taux trop faible diminue l'aptitude au mouillage de la céramique et complique l'obtention d'une étanchéité hermétique complète.

Avantages

• Liaison chimique entre la céramique et le brasage actif à haute température → résistance de liaison élevée et fiabilité améliorée
• Possibilité d'avoir différentes épaisseurs de cuivre sur une même plaque
• Processus respectueux de l'environnement
• Excellente résistance aux cycles thermiques et au froid
• Compatible avec l'automatisation complète pour une productivité élevée et un coût de fabrication réduit
• Épaisseur de cuivre 0,1–0,5 mm disponible, adaptée à l'encapsulation de composants haute puissance

Applications

• Modules de puissance SiC
• Modules IGBT
• Onduleurs pour entraînements électriques
• Onduleurs photovoltaïques
• Convertisseurs d'énergie éolienne
• Convertisseurs de fréquence industriels
• Alimentations à découpage haute puissance
• Alimentations des stations 5G
• Alimentations haute puissance pour centres de données
• Modules RF de communication

Propriétés
Si3N4 (Nitrure de silicium)
Composition : 96 % SiN
Épaisseur (mm) : 0,2 ; 0,32 ; 0,35 ; 0,635 ; 0,4–1,5
Densité (g/cm3) : 3,2 ± 0,25
Conductivité thermique (20°C, W/m·K) : 85+
Résistance en flexion (MPa) : 700–800
Constante diélectrique (1 MHz) : 8
Perte diélectrique (1 MHz) : 0,001
Rigidité diélectrique (kV/mm) : 20
Résistivité volumique (Ω·cm) : 1e14

AlN (Nitrure d'aluminium)
Composition : 96 % AlN
Épaisseur (mm) : 0,25 ; 0,32 ; 0,635
Densité (g/cm3) : 3,3
Conductivité thermique (20°C, W/m·K) : 170+
Résistance en flexion (MPa) : 350
Constante diélectrique (1 MHz) : 9
Perte diélectrique (1 MHz) : 0,0005
Rigidité diélectrique (kV/mm) : 20
Résistivité volumique (Ω·cm) : 1e14

Cuivre (sans oxygène)
Pureté (%) : 99,99
Dureté (HV) : 60–110
Conductivité (MS/m) : 58,6
Épaisseur (mm) : 1,2 ; 1,0 ; 0,8 ; 0,5 ; 0,4 ; 0,3 ; 0,25 ; 0,2

Substrat AMB (général)
Taille maximum (mm) : 190 × 140
Espacement des pistes (mm) : ≥0,5
Largeur des pistes : personnalisable
Adhérence de la couche de cuivre (min) (N/mm) : >10
Souderabilité (%) : >95 %
Livraison : petits morceaux ou panneaux
Finitions de surface : Cu / Au / Ag

Caractéristiques / spécifications techniques

• Options de matériau : Si3N4 (96 % SiN) et AlN (96 % AlN)
• Épaisseurs Si3N4 : 0,2 ; 0,32 ; 0,35 ; 0,635 ; 0,4–1,5 mm
• Épaisseurs AlN : 0,25 ; 0,32 ; 0,635 mm
• Densité Si3N4 : 3,2 ± 0,25 g/cm³ ; densité AlN : 3,3 g/cm³
• Conductivité thermique : Si3N4 ~85+ W/m·K ; AlN ~170+ W/m·K (20°C)
• Résistance en flexion : Si3N4 700–800 MPa ; AlN ~350 MPa
• Constante / perte diélectrique : Si3N4 8 / 0,001 (1 MHz) ; AlN 9 / 0,0005 (1 MHz)
• Rigidité diélectrique : 20 kV/mm (les deux)
• Résistivité volumique : 1e14 Ω·cm (les deux)
• Cuivre : sans oxygène, pureté 99,99 % ; conductivité 58,6 MS/m ; épaisseurs 0,2–1,2 mm
• Mécanique / assemblage : adhérence >10 N/mm ; souderabilité >95 %
• Taille max du substrat : 190 × 140 mm ; espacement min des pistes ≥0,5 mm ; largeur de piste personnalisable
• Finitions de surface : Cu / Au / Ag