Amplificateur opérationnel LM358

comparateuranalogiqueavec filtrage

Aperçu
Le LM358 est un amplificateur opérationnel double offrant deux canaux, stabilité en gain unitaire et large plage d'alimentation pour des applications industrielles et embarquées générales. Les variantes de nouvelle génération (LM358B, LM2904B/BA) apportent une réduction du offset, un courant de repos plus faible et un filtrage EMI/RF intégré pour améliorer les performances.

Description clé
La famille LM358 présente une plage d'entrée mode commun incluant la masse, une faible tension d'offset et une bonne tolérance en tension différentielle. La bande passante en gain unité est typiquement ~0,7 MHz ; les variantes B/BA augmentent la bande passante et réduisent le courant de repos. Les composants conviennent aux environnements sensibles au coût et aux applications exigeantes nécessitant une robustesse ESD et une immunité EMI.

Fonctions

• Plage de tension d'alimentation : 3 V à 30 V (jusqu'à 36 V pour certaines variantes B/BA)
• Courant de repos : ~300–350 µA par canal (typique, dépend de la variante)
• Bande passante en gain unité : ~0,7 MHz (LM358) ; ~1,2 MHz (LM358B/BA)
• Plage d'entrée mode commun incluant la masse (permet la détection proche de 0 V)
• Faible offset d'entrée : jusqu'à 2–3 mV selon variante
• Filtres RF/EMI intégrés et protection ESD renforcée sur les variantes B/BA

Fiche technique
Se référer à la fiche technique « Industry‑Standard Dual Operational Amplifiers » (Rev. AB) pour les caractéristiques électriques complètes, les brochages et les conseils d'application.

Boîtiers et médias

• Boîtiers courants : PDIP, SOIC, SOP, TSSOP, VSSOP, SOT23‑8
• Schéma fonctionnel et dessins de boîtier disponibles

Description (détaillée)
Les variantes LM358B/LM2904B apportent des améliorations telles qu'un offset typique plus faible (≈300 µV typique cité pour B/BA), un courant de repos réduit (~300 µA par amplificateur), une robustesse ESD accrue (ex. 2 kV HBM pour certaines variantes) et un filtrage EMI/RF intégré, adaptées aux environnements plus exigeants et aux conceptions à espace réduit.

Caractéristiques / spécifications techniques

• Nombre de canaux : 2
• Tension totale d'alimentation (max) : 30 V
• Tension totale d'alimentation (min) : 3 V
• Rail-to-rail : entrée jusqu'à V− (mode commun inclut la masse)
• GBW (typ) : 0,7 MHz (LM358) ; ~1,2 MHz (B/BA)
• Vitesse de balayage (Slew rate) (typ) : 0,3 V/µs
• Vos (max à 25 °C) : jusqu'à 7 mV (catalogue) ; 3 mV (A/B) ; 2 mV (BA)
• Iq par canal (typ) : 0,35 mA (typique) ; ~0,3 mA pour B/BA
• Vn à 1 kHz (typ) : 40 nV/√Hz
• Plage de température de fonctionnement : 0 à 70 °C
• CMRR (typ) : 80 dB
• Iout (typ) : 30 mA
• Architecture : Bipolaire
• Boîtiers représentatifs : PDIP (8 broches), SOIC (8 broches), SOP, TSSOP, VSSOP, SOT23‑8