Résine pour encapsulation Resist series

photo-sensible

Aperçu
Série de résists négatifs Fujifilm à base de polyisoprène, formulée pour l'imagerie par projection, proximité et contact et compatible avec les procédés d'attaque humide sur divers substrats. Plusieurs séries couvrent une large plage d'épaisseurs de couche pour répondre aux exigences de résolution et d'épaisseur.

Gamme de produits

• Série SC Resist
  Destinée aux applications épaisses avec des épaisseurs de 1,8 à 10 µm ; optimisée pour l'exposition par contact.
• Série IC Type 3 Resist
  Pour des applications d'épaisseur intermédiaire avec des couches de 0,75 à 2,0 µm ; adaptée aux expositions par projection, proximité et contact.
• Série HNR Resist
  Pour les applications haute résolution avec des épaisseurs de 0,50 à 1,40 µm ; optimisée pour l'exposition en proximité et par contact.
• Série HR Resist
  Pour les applications sur substrats à haute réflectivité avec des épaisseurs de 0,70 à 1,50 µm ; adaptée aux expositions par projection, proximité et contact.

Applications

• Imagerie par projection, proximité et contact pour le façonnage de motifs et la microfabrication
• Compatibilité avec les procédés d'attaque humide sur divers substrats, y compris les surfaces très réfléchissantes
• Choix de la série permettant d'ajuster l'épaisseur de couche et la résolution aux besoins du procédé

Spécifications techniques

• Marque : Fujifilm
• Type de produit : Résist négatif (base polyisoprène)
• Tonalité : Négative
• Base polymère : Polyisoprène
• Imagerie : Projection, proximité et contact
• Applications recommandées : Procédés d'attaque humide ; applications sur substrats à haute réflectivité (série HR)
• Série SC Resist : épaisseur de couche 1,8–10 µm — optimisée pour imprimantes par contact
• Série IC Type 3 Resist : épaisseur de couche 0,75–2,0 µm — pour imprimantes projection, proximité et contact
• Série HNR Resist : épaisseur de couche 0,50–1,40 µm — pour imagerie haute résolution en proximité et contact
• Série HR Resist : épaisseur de couche 0,70–1,50 µm — pour substrats très réfléchissants avec projection, proximité et contact