Résine pour semiconducteurs KrF

haute résistancephoto-sensibleà haute stabilité thermique

Aperçu
Résists photo positifs sensibles au KrF couvrant un large éventail d'applications de mise en forme de circuits. La série GKR propose plusieurs formulations, des couches à épaisseur élevée aux produits haute résolution, pour répondre aux différents besoins des procédés.

Gamme de produits
Familles de la série GKR:

• Série GKR-46xx/32xx (pour implant)
• Série GKR-53xx (pour C/H)
• Série GKR-63xx (pour L/S)

Produits associés

• EUV (13,5 nm) — Matériaux EUV pour imagerie en ton négatif
• NIL (Nanoimprint Lithography) — Matériaux NIL pour les procédés de lithographie des semi-conducteurs
• ArF (193 nm) — Matériaux pour imagerie positive en sec et immersion, et imagerie en ton négatif (NTI)
• i-Line, g-Line et Broadband — Résists sensibles au UV moyen couvrant des résolutions de <0,30 µm à >1,0 µm
• Négatif (à base de polyisoprène) — Séries de résists en ton négatif à base de polyisoprène
• e-Beam — Résists positifs et négatifs pour diverses applications e‑beam

Caractéristiques / Spécifications techniques

• Longueur d'onde : 248 nm (KrF)
• Type : Positif
• Série principale : GKR
• Variantes disponibles : GKR-46xx/32xx (implant), GKR-53xx (C/H), GKR-63xx (L/S)
• La gamme comprend des couches à épaisseur élevée et des formulations haute résolution pour répondre aux exigences des procédés