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Transistor FET CMPFJ176en silicium
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Caractéristiques
- Type
- FET
- Autres caractéristiques
- en silicium
- Courant
50 mA
- Tension
30 V
Description
Les CENTRAL SEMICONDUCTOR CMPFJ175 et CMPFJ176 sont des JFET à canal P, moulés en époxy, fabriqués dans un boîtier SOT-23, conçus pour des applications d'amplification de bas niveau
fabriqués dans un boîtier SOT-23, conçus pour des applications d'amplificateurs de bas niveau.
CODES DE MARQUAGE :
CMPFJ175 : 6W
CMPFJ176 : 6X
CMPFJ177 : 6Y
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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.