Transistor FET CMPFJ175
en silicium

transistor FET
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Caractéristiques

Type
FET
Autres caractéristiques
en silicium

Description

DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CMPFJ175 et CMPFJ176 sont des JFETs à canal P moulés en époxy fabriqué dans un boîtier SOT-23, conçu pour des applications d'amplification à bas niveau. LE MARQUAGE DES CODES CMPFJ175 : 6W CMPFJ176 : 6X

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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.