Transistor IGBT, Module transistors IGBT - Tous les fabricants industriels

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module transistors IGBTQC962-8A

hybride

module transistors IGBT

QC962-8A

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module transistors IGBTQP12W05S-37

module transistors IGBT

QP12W05S-37

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module transistors IGBTQP12W08S-37A

module transistors IGBT

QP12W08S-37A

Courant: 25 mA
Tension: 13 V

... CARACTÉRISTIQUES - Alimentation DC-DC intégrée et isolée, alimentation unique topologie d'alimentation unique - Tension d'isolation élevée de 3750VAC - Fréquence du signal d'entrée jusqu'à 20kHz - Circuit de défaut intégré avec une broche ...

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transistor IGBTStakPak

transistor IGBT

StakPak

Courant: 3 000, 1 300, 2 000 A
Tension: 4 500, 5 200 V

... Le StakPak est une famille de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de forte puissance, avec des diodes et des blocs de pression dans un boîtier modulaire avancé qui garantit une pression uniforme ...

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transistor IGBTXPT™ series

de puissance

transistor IGBT

XPT™ series

Tension: 1 700, 2 500, 4 500 V

... Conçus à l'aide de la technologie propriétaire XPT™ à couche mince et du processus IGBT de pointe, ces dispositifs affichent des qualités telles qu'une résistance thermique réduite, un faible courant de queue, une faible ...

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module transistors IGBTMG12600WB-BR2MM series

module transistors IGBT

MG12600WB-BR2MM series

Courant: 600 A
Tension: 1 200 V

... Les modules IGBT de Littelfuse offrent le rendement élevé et les vitesses de commutation rapides de la technologie IGBT moderne dans un format robuste et flexible. Utilisés pour les applications de contrôle ...

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transistor IGBTIKP28N65ES5

de puissance de commutation

transistor IGBT

IKP28N65ES5

Courant: 28 A
Tension: 650 V

... L'IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 à commutation dure en boîtier TO-220 à faible encombrement s'adresse aux applications commutant entre 10 kHz et 40 kHz pour offrir une densité de courant élevée, un rendement élevé, des cycles ...

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Infineon Technologies AG

transistor IGBT5SN series

de puissance de commutation

transistor IGBT

5SN series

Courant: 150 A - 3 600 A
Tension: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V

Les modules d’alimentation IGBT d’Hitachi Énergie sont disponibles de 1 700 à 6 500 volts en tant que modules IGBT à branche simple, double/phase, hacheur et double diode. Les modules IGBT ...

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transistor transistor bipolaire à grille isoléeBID series

de commutation

transistor transistor bipolaire à grille isolée

BID series

Courant: 5, 20, 30, 50 A
Tension: 600 V

... La série Bourns® IGBT discret BID combine la technologie d'une grille MOS et d'un transistor bipolaire, créant ainsi le composant adéquat pour les applications à haute tension et à courant élevé. Ce composant ...

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transistor IGBTRV1S series

de puissance

transistor IGBT

RV1S series

... Les photocoupleurs automobiles (sortie transistor, sortie IC) sont disponibles dans de petits boîtiers avec une rigidité diélectrique élevée (3,75KV) et un fonctionnement à haute température jusqu'à 135 °C. Cela facilite ...

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transistor IGBTRGW00TS65CHR

de commutation en silicium pour les techniques automobiles

transistor IGBT

RGW00TS65CHR

Courant: 50 A
Tension: 650 V

... La série RGWxx65C est un IGBT 650V avec une diode à barrière schottky SiC intégrée, qui réduit la perte de commutation à la mise sous tension. Il s'agit d'un produit conforme à la norme AEC-Q101. Il peut être utilisé ...

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ROHM Semiconductor

module transistors IGBTSTPOWER

module transistors IGBT

STPOWER

... permettent la combinaison de puces de silicium optimisées et intègrent avec 3 blocs onduleurs principaux : étage de puissance (IGBT robustes en court-circuit et diodes de roue libre), réseau de commande (résistances de ...

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STMicroelectronics

module transistors IGBTSKiiP 11NAB065V1

module transistors IGBT

SKiiP 11NAB065V1

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SEMIKRON

transistor bipolaire

IGBT

transistor bipolaire

Courant: 10 A - 1 600 A
Tension: 600 V - 1 700 V

... Greegoo propose des modules IGBT (transistor bipolaire à grille isolée) dans différentes topologies, courants et tensions nominaux. De 15A à 1600A dans des classes de tension de 600V à 1700V, les modules ...

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module transistors IGBTRT25PI120B9H

de puissance

module transistors IGBT

RT25PI120B9H

Courant: 10, 25 A
Tension: 1 200 V

... Caractéristiques Technologie IGBT -Trench + Filed Stop IGBT Capacité de court-circuit de -10ps -Versât) avec coefficient de température positif -Boîtier à faible inductance -Recouvrement inversé rapide ...

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Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,

transistor IGBT

de puissance

transistor IGBT

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IXYS

Transistors IGBT

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