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Courant: 28 A
Tension: 650 V
... L'IGBT TRENCHSTOP™ 5 S5 à commutation dure en boîtier TO-220 à faible encombrement s'adresse aux applications commutant entre 10 kHz et 40 kHz pour offrir une densité de courant élevée, un rendement élevé, des cycles ...
Infineon Technologies AG
... des broches de la prise, il peut également être utilisé pour l'évaluation des semi-conducteurs de puissance tels que IPM et IGBT. Possibilité de mesure Kelvin Possibilité de sélectionner les spécifications de câblage Supporte ...
JC CHERRY INC.
... des broches de la douille, il peut également être utilisé pour l'évaluation des semi-conducteurs de puissance tels que IPM et IGBT. Possibilité de mesure Kelvin Possibilité de sélectionner les spécifications de câblage Supporte ...
JC CHERRY INC.
... Douilles pour transistors de puissance Emplacement Haute température Faible dégazage Type multipolaire Contact rond de haute fiabilité offrant de bonnes performances électriques et mécaniques. Les prises de test pour ...
JC CHERRY INC.
Courant: 5, 20, 30, 50 A
Tension: 600 V
... La série Bourns® IGBT discret BID combine la technologie d'une grille MOS et d'un transistor bipolaire, créant ainsi le composant adéquat pour les applications à haute tension et à courant élevé. Ce composant ...
Courant: 100 mA
Tension: 45, 30, 65 mV
... Applications typiques Traitement des signaux Commutation Amplification Qualité commerciale / industrielle Suffixe -Q : Conforme à la norme AEC-Q101 *) Suffixe -AQ : en qualification AEC-Q101 *) Caractéristiques Usage général Trois ...
Courant: 20 A - 300 A
Tension: 1 200, 650 V
... Applications typiques Fréquence de commutation 80...100 kHz Convertisseurs de fréquence Entraînements de moteurs CA et CC Qualité commerciale / industrielle Suffixe -Q : Conforme à la norme AEC-Q101 1) Suffixe -AQ : en cours de qualification ...
Courant: 800 A
Tension: 1 200 V
... Le NXH800H120L7QDSG est un module de puissance IGBT en demi-pont. Les IGBTs Field Stop Trench 7 et les diodes Gen. 7 intégrés permettent de réduire les pertes de conduction et les pertes de commutation, ce qui permet ...
Fairchild Semiconductor
Courant: 150 A - 3 600 A
Tension: 1 200, 1 700, 3 300, 4 500, 6 500 V
Les modules d’alimentation IGBT d’Hitachi Énergie sont disponibles de 1 700 à 6 500 volts en tant que modules IGBT à branche simple, double/phase, hacheur et double diode. Les modules IGBT ...
Courant: 8 A
Tension: 1 700 V
... un pilote hybride intégré pour IGBT. Sa fonction principale est de recevoir le signal carré du contrôleur et de le convertir en un signal de gâte isolé et amplifié qui commande le cycle d'allumage et d'extinction de l'IGBT. ...
MORNSUN Guangzhou Science & Technology Co.,Ltd.
Courant: 50 A
Tension: 650 V
... La série RGWxx65C est un IGBT 650V avec une diode à barrière schottky SiC intégrée, qui réduit la perte de commutation à la mise sous tension. Il s'agit d'un produit conforme à la norme AEC-Q101. Il peut être utilisé ...
ROHM Semiconductor
Courant: 8 A
Tension: 600 V
... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...
STMicroelectronics
Courant: 3 000, 1 300, 2 000 A
Tension: 4 500, 5 200 V
... Le StakPak est une famille de transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) de forte puissance, avec des diodes et des blocs de pression dans un boîtier modulaire avancé qui garantit une pression uniforme ...
SEMIKRON
Courant: 150 A
Tension: 600 V
... Commutateurs - demi-pont. Les modules IGBT sont logés dans un boîtier industriel standard, ce qui facilite l'intégration de l'appareil dans l'équipement existant. Les modules IGBT (Insulated Gate Bipolar ...
Courant: 10, 25 A
Tension: 1 200 V
... Caractéristiques Technologie IGBT -Trench + Filed Stop IGBT Capacité de court-circuit de -10ps -Versât) avec coefficient de température positif -Boîtier à faible inductance -Recouvrement inversé rapide ...
Rongtech Industry (Shanghai) Inc.,
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