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... permettent la combinaison de puces de silicium optimisées et intègrent avec 3 blocs onduleurs principaux : étage de puissance (IGBT robustes en court-circuit et diodes de roue libre), réseau de commande (résistances de ...
STMicroelectronics
Courant: 8 A
Tension: 600 V
... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...
STMicroelectronics
Courant: 8 A
Tension: 600 V
... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...
STMicroelectronics
Courant: 8 A
Tension: 600 V
... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...
STMicroelectronics
Courant: 8 A
Tension: 600 V
... Cet IGBT utilise le processus PowerMESH™ avancé, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...
STMicroelectronics
Courant: 30 A
Tension: 600 V
... Cet IGBT utilise le procédé avancé PowerMESH, ce qui permet d'obtenir un excellent compromis entre les performances de commutation et le faible comportement à l'état passant. Toutes les caractéristiques Faible chute ...
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