Transistor IGBT RGA60TS65HR

transistor bipolaire à grille isoléeIGBT en tranchéefield stop IGBT

Aperçu
Le RGA60TS65HR est un IGBT de 4e génération 650V de type field-stop trench, conçu pour les systèmes auxiliaires automobiles et les onduleurs industriels. La structure du dispositif et la terminaison de bord ont été optimisées pour augmenter la densité de courant tout en réduisant les pertes de conduction et de commutation, améliorant ainsi l'efficacité et la fiabilité. Conforme à la norme de fiabilité automobile AEC-Q101, il garantit une tenue au court-circuit de 7 μs à Tj = 25°C.

Résumé produit
IGBT à faibles pertes de commutation et de conduction, adapté aux compresseurs électriques, aux chauffages HV et aux onduleurs industriels, offrant un compromis entre faibles pertes et haute tolérance aux courts-circuits.

Applications

• Compresseurs électriques automobiles
• Chauffages HV automobiles (chauffages PTC, chauffages du liquide de refroidissement)
• Onduleurs pour équipements industriels

Caractéristiques

• Qualifié AEC-Q101 (grade automobile)
• Tenue en court-circuit (tsc) : 7 μs
• Faible tension de saturation collecteur-émetteur (VCE(sat) faible)
• Pertes de commutation et de conduction réduites
• Placage sans plomb ; conforme RoHS

Spécifications

• Numéro de pièce : RGA60TS65HRC11
• Série : A : For inverter (tsc 7-10 μs)
• VCES (nominal) : 650 V
• IC (100°C) : 34 A
• VCE(sat) (Typ.) : 1,55 V
• tf (Typ.) : 82 ns
• tsc (Min.) : 7 μs
• Pd : 170 W
• BV(CES) (Min.) : 650 V
• Température de stockage : -55 °C à 175 °C
• Boîtier : TO-247N
• Conditionnement : Tube
• Quantité par unité : 450
• Quantité minimale par emballage : 30
• Dimensions du boîtier : 21,0 x 16,0 mm (t = 5,2)
• RoHS : Oui
• Norme : AEC-Q101 (Automotive Grade)

Conditionnement
Boîtier standard : TO-247N. Conditionnement : tube, quantité standard 450 unités, quantité minimale 30 unités. Se référer aux dessins mécaniques et d'emballage pour la manipulation et la conception thermique.

Contexte de développement
Alors que les onduleurs de traction haute tension adoptent le SiC, les IGBT 650V restent largement utilisés pour les systèmes auxiliaires de moindre puissance. Ce produit répond aux exigences d'efficacité accrue, de réduction d'encombrement et d'une meilleure tolérance aux courts-circuits dans les applications automobiles et industrielles.