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Transistor IGBT en tranchée RGWS00TS65Dde commutation
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Caractéristiques
- Type
- IGBT en tranchée
- Technologie
- de commutation
- Courant
50 A
- Tension
650 V
Description
RGWS00TS65D est un IGBT à faible tension de saturation collecteur-émetteur, adapté aux PFC, aux convertisseurs solaires, aux convertisseurs à fréquence de commutation moyenne à élevée. La série RGWS se caractérise par une commutation rapide, contribuant à une meilleure efficacité des applications.
Faible tension de saturation collecteur-émetteur
Commutation à grande vitesse
Faible perte de commutation et commutation douce
FRD intégré à récupération très rapide et douce
Placage au plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS
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Catalogues
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