- Électricité - Électronique
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- Transistor bipolaire
- ROHM Semiconductor
Transistor IGBT en tranchée RGS80TS65DHRpour les techniques automobiles
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Caractéristiques
- Type
- IGBT en tranchée
- Autres caractéristiques
- pour les techniques automobiles
- Courant
40 A
- Tension
650 V
Description
Les produits IGBT de ROHM contribueront aux économies d'énergie à haut rendement et à une large gamme d'applications à haute tension et à courant élevé.
Faible tension de saturation collecteur-émetteur
Temps de résistance aux courts-circuits de 8μs
Qualifié selon AEC-Q101
FRD à récupération très rapide et douce intégré
Placage au plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS
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Catalogues
Short Form Catalog
308 Pages
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* Les prix s'entendent hors taxe, hors frais de livraison, hors droits de douane, et ne comprennent pas l'ensemble des coûts supplémentaires liés aux options d'installation ou de mise en service. Les prix sont donnés à titre indicatif et peuvent évoluer en fonction des pays, des cours des matières premières et des taux de change.