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Transistor IGBT en tranchée RGS80TS65DHR
pour les techniques automobiles

Transistor IGBT en tranchée - RGS80TS65DHR - ROHM Semiconductor - pour les techniques automobiles
Transistor IGBT en tranchée - RGS80TS65DHR - ROHM Semiconductor - pour les techniques automobiles
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Caractéristiques

Type
IGBT en tranchée
Autres caractéristiques
pour les techniques automobiles
Courant

40 A

Tension

650 V

Description

Les produits IGBT de ROHM contribueront aux économies d'énergie à haut rendement et à une large gamme d'applications à haute tension et à courant élevé. Faible tension de saturation collecteur-émetteur Temps de résistance aux courts-circuits de 8μs Qualifié selon AEC-Q101 FRD à récupération très rapide et douce intégré Placage au plomb sans plomb ; conforme à la directive RoHS

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Ceci est une traduction automatique  (voir l’original en anglais)

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