Transistor NPN CTLM1034-M832D
de puissanceen siliciumdiode Schottky

transistor NPN
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Caractéristiques

Type
NPN
Technologie
de puissance
Autres caractéristiques
en silicium, diode Schottky
Courant

1 A

Tension

6 V, 25 V, 40 V

Description

DESCRIPTION : Le SEMICONDUCTEUR CENTRAL CTLM1034-832D est constitué d'un transistor NPN à faible VCE(SAT) et d'un redresseur Schottky à faible VF. Emballé dans un petit boîtier de montage en surface de 3x2 mm sans plomb, à haute efficacité thermique, il est conçu pour les applications où la petite taille, l'efficacité opérationnelle et la faible consommation d'énergie sont les principales exigences. En raison de sa conception sans plomb, ce est capable de dissiper jusqu'à 4 fois la puissance de dispositifs similaires dans des boîtiers de montage en surface de taille comparable. CODE DE MARQUAGE : CFC DEMANDES - Circuits de commutation - Convertisseurs DC / DC - Rétro-éclairage LCD - Applications pour les équipements portables alimentés par batterie, y compris les téléphones portables, les appareils photo numériques, les téléavertisseurs, les assistants numériques personnels, les ordinateurs portables, etc. CARACTÉRISTIQUES - Dispositif à double puce - Transistor à courant élevé (1,0A) et redresseur Schottky - Transistor NPN à faible VCE(SAT) (450mV @ IC=1.0A MAX) - Redresseur Schottky à basse fréquence (550mV @ 1,0A MAX) - Rapport puissance/empreinte élevé de 275 mW par mm2 (Dissipation de la puissance de l'emballage / Surface de l'emballage) - Petit paquet TLM 3x2mm sans plomb pour montage en surface - Dispositif complémentaire : CTLM1074-M832D

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