Transistor NPN CTLM1034-M832D
de puissanceen siliciumdiode Schottky

Transistor NPN - CTLM1034-M832D - Central Semiconductor - de puissance / en silicium / diode Schottky
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Caractéristiques

Type
NPN
Technologie
de puissance
Autres caractéristiques
en silicium, diode Schottky
Courant

1 A

Tension

6 V, 25 V, 40 V

Description

Le CTLM1034-832D de CENTRAL SEMICONDUCTOR se compose d'un transistor NPN à faible VCE(SAT) et d'un redresseur Schottky à faible VF. Conditionné dans un petit boîtier sans plomb de 3x2mm pour montage en surface, il est conçu pour des applications où la petite taille, l'efficacité opérationnelle et la faible consommation d'énergie sont des exigences primordiales. Grâce à son boîtier sans plomb, ce dispositif est capable de dissiper jusqu'à 4 fois la puissance de dispositifs similaires dans des boîtiers pour montage en surface de taille comparable. CODE DE MARQUAGE : CFC APPLICATIONS - Circuits de commutation - Convertisseurs DC / DC - Rétro-éclairage LCD - Applications d'équipements portables alimentés par batterie, notamment les téléphones portables, les appareils photo numériques, les téléavertisseurs, les assistants numériques personnels, les ordinateurs portables, etc. CARACTÉRISTIQUES - Dispositif à double puce - Transistor et redresseur Schottky à courant élevé (1,0 A) - Transistor NPN à faible VCE(SAT) (450mV @ IC=1,0A MAX) - Redresseur Schottky à faible VF (550mV @ 1.0A MAX) - Rapport puissance/empreinte élevé de 275mW par mm² (dissipation de puissance du boîtier / surface du boîtier) - Petit boîtier de montage en surface sans plomb TLM 3x2mm - Dispositif complémentaire : CTLM1074-M832D

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