Transistor NPN HD1750FX
de puissanceen silicium

Transistor NPN - HD1750FX - STMicroelectronics - de puissance / en silicium
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Caractéristiques

Type
NPN
Technologie
de puissance
Autres caractéristiques
en silicium
Courant

24 A

Tension

1 700 V

Description

Le dispositif utilise un collecteur diffus en technologie planaire adoptant la "structure haute tension améliorée" (EHVS1) mise au point pour les écrans CRT haute définition. La nouvelle série de produits HD présente une efficacité améliorée du silicium, ce qui permet d'actualiser les performances au niveau de la déflexion horizontale. Toutes les caractéristiques TECHNOLOGIE DE POINTE : COLLECTEUR DIFFUS "GÉNÉRATION AMÉLIORÉE" EHVS1 MOINS SENSIBLE AUX VARIATIONS DE TEMPÉRATURE DE FONCTIONNEMENT GAMME ÉLARGIE DE CONDITIONS D'ENTRAÎNEMENT OPTIMALES BOÎTIER DE PUISSANCE ENTIÈREMENT ISOLÉ ET CONFORME À LA NORME U.L

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Catalogues

HD1750FX
HD1750FX
8 Pages

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EMO 2025
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22-26 sept. 2025 Hannover (Allemagne)

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    SPS 2025
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    25-27 nov. 2025 Nürnberg (Allemagne) Hall 4 - Stand 271

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