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Courant: -0,5 A
Tension: -50 V
... 50A02CH est un transistor bipolaire, faible VCE(sat), PNP simple pour les applications d'amplificateur à usage général à basse fréquence. Applications Amplificateur basse fréquence Commutation à haute vitesse Entraînement de petits ...
Onsemi
Courant: 0,4 A - 45 A
Tension: 36 V - 70 V
... ST propose une large gamme de commutateurs intelligents à 3 et 5 broches (OMNIFET) de qualité automobile basés sur la technologie VIPower (vertical intelligent power). Cette technologie propriétaire permet d'intégrer sur une même puce des circuits de ...
STMicroelectronics
Tension: 7,5 V
... de sortie pour radio portable à bande UHF Etage de sortie pour radio portable 700-800 MHz Pilote générique de 6 W pour transistors d'étage final ISM et de radiodiffusion ...
Tension: 110, 265 V
... Description : Le TOPSwitch-HX intègre un MOSFET de puissance 700 V, une source de courant commuté haute tension, une commande PWM, un oscillateur, un circuit d'arrêt thermique, une protection contre les défauts et autres circuits de commande sur un dispositif ...
Power Integrations
Courant: 0,8 A
Tension: 50 V
... Gain en courant continu hFE Maxi:400 Gain en courant continu hFE Min. 160 Description:TO-92, 50V, 0.8A, NPN Transistor bipolaire IC (A):0.8 PD (W):0,625 Forfait:TO-92 Polarité:NPN Statut : Actif TJ Max. (°C):150 VCBO (V):50 VCE Sat. (V):0.7 VCEO ...
Tension: 20, 50 V
... Transistor MOSFET et NPN à N canaux en un seul ensemble Faible On-Résistance Tension de seuil de porte très basse, 1,0 V max Faible capacité d'entrée Vitesse de commutation rapide Faible fuite d'entrée/sortie Ensemble de montage ...
Diodes Incorporated
Tension: 45 V
... Les types BCX51, BCX52 et BCX53 de CENTRAL SEMICONDUCTOR sont des transistors au silicium PNP fabriqués par le procédé épitaxial planaire, moulés à l'époxy dans un boîtier pour montage en surface, conçus pour des applications d'amplification ...
Central Semiconductor
Courant: 1 mA - 20 mA
Tension: 2,7 V
Broadcom
... Avago dispose d'un vaste portefeuille de transistors RF bipolaires au silicium et de transistors FET au GaAs Les transistors GaAs FET RF sont idéaux pour le premier ou le deuxième étage de la station ...
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